casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB110MFZRE
codice articolo del costruttore | HB110MFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB110MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB110MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB110MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB110MFZRE-FT |
H895R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H8976KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBZA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BZA
TE Connectivity Passive Product
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel