casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB110MFZRE
codice articolo del costruttore | HB110MFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB110MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB110MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB110MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB110MFZRE-FT |
H895R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H8976KBCA
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H8976RBCA
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H8976RBDA
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H8976RBZA
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H897R6BCA
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H897R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel