casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB110KFZRE
codice articolo del costruttore | HB110KFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB110KFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB110KFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 kOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB110KFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB110KFZRE-FT |
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
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H895R3BDA
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H8976KBCA
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H897R6BCA
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H897R6BDA
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LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S15-2FTGB196C
Xilinx Inc.
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
XC7VX690T-2FFG1761I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484I
Xilinx Inc.
EP2SGX130GF1508C5N
Intel
EP2SGX30DF780C3
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
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