casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB1100MFZRE
codice articolo del costruttore | HB1100MFZRE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HB1100MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB1100MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB1100MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB1100MFZRE-FT |
H890R9BCA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BDA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BZA
TE Connectivity Passive Product
H891KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8931RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8931RBDA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A40MX04-3PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34E2LG
Intel