casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H868R1BZA
codice articolo del costruttore | H868R1BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H868R1BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H868R1BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 68.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H868R1BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H868R1BZA-FT |
H8620RFZA
TE Connectivity Passive Product
H862KFCA
TE Connectivity Passive Product
H862RFCA
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H862RFDA
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H8634KBCA
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H8634KBDA
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H8634KBZA
TE Connectivity Passive Product
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel