casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8511RBYA
codice articolo del costruttore | H8511RBYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H8511RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8511RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 511 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8511RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8511RBYA-FT |
H8499KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8499RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8499RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8499RBZA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BCA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BDA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BYA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BZA
TE Connectivity Passive Product
H849R9BCA
TE Connectivity Passive Product
H849R9BDA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG484I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE360H29C4
Intel
XC2VP20-6FFG896I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
EP1C20F400C6
Intel