casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H848R7BYA
codice articolo del costruttore | H848R7BYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H848R7BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H848R7BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 48.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H848R7BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H848R7BYA-FT |
H844R2BZA
TE Connectivity Passive Product
H8453KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8453KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8453KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8453KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8453RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8453RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8453RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8453RBZA
TE Connectivity Passive Product
H845K3BCA
TE Connectivity Passive Product
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel