casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H836R5BDA
codice articolo del costruttore | H836R5BDA |
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Numero di parte futuro | FT-H836R5BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H836R5BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 36.5 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H836R5BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H836R5BDA-FT |
H833R2DYA
TE Connectivity Passive Product
H833R2DZA
TE Connectivity Passive Product
H833RFCA
TE Connectivity Passive Product
H833RFDA
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H833RFYA
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H833RFZA
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H8340KBCA
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H8340KBDA
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H8340KBYA
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H8340KBZA
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LFXP3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
XC4013XL-2HT176C
Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3N
Intel
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation