casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H836K5BDA
codice articolo del costruttore | H836K5BDA |
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Numero di parte futuro | FT-H836K5BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H836K5BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 36.5 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H836K5BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H836K5BDA-FT |
H833K2DYA
TE Connectivity Passive Product
H833K2DZA
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H833KFCA
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H833KFYA
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H833KFZA
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H833R2BCA
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H833R2BDA
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H833R2BYA
TE Connectivity Passive Product
H833R2BZA
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel