casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H835R7BDA
codice articolo del costruttore | H835R7BDA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H835R7BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H835R7BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 35.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H835R7BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H835R7BDA-FT |
H832R4BYA
TE Connectivity Passive Product
H832R4BZA
TE Connectivity Passive Product
H8330KFCA
TE Connectivity Passive Product
H8330KFDA
TE Connectivity Passive Product
H8330KFYA
TE Connectivity Passive Product
H8330KFZA
TE Connectivity Passive Product
H8330RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8330RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8330RFZA
TE Connectivity Passive Product
H8332KBYA
TE Connectivity Passive Product
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484C6N
Intel
5SGSMD4K1F40C2N
Intel
5SGTMC7K2F40I2N
Intel
5SGXMA5N1F45I2N
Intel
5SGXMB6R1F43C2N
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBC652-2
Intel