casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H82M21FZA
codice articolo del costruttore | H82M21FZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H82M21FZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H82M21FZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 2.21 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H82M21FZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H82M21FZA-FT |
H8294RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8294RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8294RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8294RBZA
TE Connectivity Passive Product
H829K4BYA
TE Connectivity Passive Product
H829K4BZA
TE Connectivity Passive Product
H829R4BCA
TE Connectivity Passive Product
H829R4BDA
TE Connectivity Passive Product
H829R4BYA
TE Connectivity Passive Product
H829R4BZA
TE Connectivity Passive Product
EP20K100TC144-1X
Intel
M2GL060-1FCSG325
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8N
Intel
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
XC5VLX330-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
XA7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4
Intel