casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H826R7BYA
codice articolo del costruttore | H826R7BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H826R7BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H826R7BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 26.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H826R7BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H826R7BYA-FT |
H8237RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8237RDCA
TE Connectivity Passive Product
H8237RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8237RDZA
TE Connectivity Passive Product
H823K2BCA
TE Connectivity Passive Product
H823K2BDA
TE Connectivity Passive Product
H823K2BZA
TE Connectivity Passive Product
H823K7BCA
TE Connectivity Passive Product
H823K7BDA
TE Connectivity Passive Product
H823K7BYA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation