casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H81M0FDA
codice articolo del costruttore | H81M0FDA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H81M0FDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H81M0FDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H81M0FDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H81M0FDA-FT |
H81K47BZA
TE Connectivity Passive Product
H81K47DCA
TE Connectivity Passive Product
H81K47DYA
TE Connectivity Passive Product
H81K47DZA
TE Connectivity Passive Product
H81K47FCA
TE Connectivity Passive Product
H81K4BCA
TE Connectivity Passive Product
H81K4BDA
TE Connectivity Passive Product
H81K4BYA
TE Connectivity Passive Product
H81K4BZA
TE Connectivity Passive Product
H81K4DCA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel