casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H81M0BZA
codice articolo del costruttore | H81M0BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H81M0BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H81M0BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 MOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H81M0BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H81M0BZA-FT |
H81K43BYA
TE Connectivity Passive Product
H81K43BZA
TE Connectivity Passive Product
H81K47BCA
TE Connectivity Passive Product
H81K47BDA
TE Connectivity Passive Product
H81K47BYA
TE Connectivity Passive Product
H81K47BZA
TE Connectivity Passive Product
H81K47DCA
TE Connectivity Passive Product
H81K47DYA
TE Connectivity Passive Product
H81K47DZA
TE Connectivity Passive Product
H81K47FCA
TE Connectivity Passive Product
A54SX32A-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9LN
Intel
5SGSED6N3F45I4N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
LFXP20C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7N
Intel