casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H819R1BYA
codice articolo del costruttore | H819R1BYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H819R1BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H819R1BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 19.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H819R1BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H819R1BYA-FT |
H817R8BDA
TE Connectivity Passive Product
H817R8BYA
TE Connectivity Passive Product
H817R8BZA
TE Connectivity Passive Product
H817R8DCA
TE Connectivity Passive Product
H817R8DYA
TE Connectivity Passive Product
H817R8DZA
TE Connectivity Passive Product
H8180KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8180KFCA
TE Connectivity Passive Product
H8180KFDA
TE Connectivity Passive Product
H8180KFYA
TE Connectivity Passive Product
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
EP3C5M164C7N
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGE2
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K100EQI240-3
Intel