casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H818R7BZA
codice articolo del costruttore | H818R7BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H818R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H818R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 18.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H818R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H818R7BZA-FT |
H816RFDA
TE Connectivity Passive Product
H816RFYA
TE Connectivity Passive Product
H816RFZA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8174RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8174RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8174RBYA
TE Connectivity Passive Product
AT6010A-2AI
Microchip Technology
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I2L
Intel
10AX027E4F27I3SG
Intel
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35C6
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel