casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H818R7BZA
codice articolo del costruttore | H818R7BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H818R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H818R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 18.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H818R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H818R7BZA-FT |
H816RFDA
TE Connectivity Passive Product
H816RFYA
TE Connectivity Passive Product
H816RFZA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8174KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8174RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8174RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8174RBYA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
EP3C25E144C8N
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation