casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H816R2DZA
codice articolo del costruttore | H816R2DZA |
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Numero di parte futuro | FT-H816R2DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H816R2DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 16.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H816R2DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H816R2DZA-FT |
H815K8BDA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BYA
TE Connectivity Passive Product
H815K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H815KBCA
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H815KBDA
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H815KFCA
TE Connectivity Passive Product
H815KFDA
TE Connectivity Passive Product
H815KFYA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel