casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H814R3BYA
codice articolo del costruttore | H814R3BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H814R3BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H814R3BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 14.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H814R3BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H814R3BYA-FT |
H8137KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8137KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8137KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8137RBCA
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H8137RBDA
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H8137RBZA
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H813K3BCA
TE Connectivity Passive Product
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H813K3BYA
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H813K3BZA
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ICE40LM2K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I8LN
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I5
Intel
EP1C20F400I7N
Intel
EPF10K100ABC356-2N
Intel