casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H813RBYA
codice articolo del costruttore | H813RBYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H813RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H813RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 13 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H813RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H813RBYA-FT |
H812K7BCA
TE Connectivity Passive Product
H812K7BDA
TE Connectivity Passive Product
H812K7BZA
TE Connectivity Passive Product
H812K7DCA
TE Connectivity Passive Product
H812K7DYA
TE Connectivity Passive Product
H812K7DZA
TE Connectivity Passive Product
H812KBDA
TE Connectivity Passive Product
H812KFCA
TE Connectivity Passive Product
H812KFYA
TE Connectivity Passive Product
H812KFZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel