casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812R7BZA
codice articolo del costruttore | H812R7BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H812R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812R7BZA-FT |
H811K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H811K8FDA
TE Connectivity Passive Product
H811KBDA
TE Connectivity Passive Product
H811KBYA
TE Connectivity Passive Product
H811KDCA
TE Connectivity Passive Product
H811KDYA
TE Connectivity Passive Product
H811KDZA
TE Connectivity Passive Product
H811KFCA
TE Connectivity Passive Product
H811KFDA
TE Connectivity Passive Product
H811KFYA
TE Connectivity Passive Product
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel