casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812R7BZA
codice articolo del costruttore | H812R7BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H812R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812R7BZA-FT |
H811K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H811K8FDA
TE Connectivity Passive Product
H811KBDA
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H811KDCA
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H811KDYA
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H811KFCA
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H811KFDA
TE Connectivity Passive Product
H811KFYA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel