casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812R7BZA
codice articolo del costruttore | H812R7BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H812R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812R7BZA-FT |
H811K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H811K8FDA
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H811KBDA
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H811KBYA
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H811KDCA
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H811KFDA
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H811KFYA
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A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8LN
Intel
XC4VLX80-12FF1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84M
Microsemi Corporation
10AX066K4F40I3LG
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5AGXFB3H4F35I5N
Intel
EP2S130F780C4
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EP4CE115F29C9LN
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