casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812R4BDA
codice articolo del costruttore | H812R4BDA |
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Numero di parte futuro | FT-H812R4BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812R4BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.4 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R4BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812R4BDA-FT |
H811K3BYA
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XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC7A25T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
5SGXEA5K2F40I2N
Intel
5CEFA7M15I7N
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP1S80F1508I7
Intel