casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812R1DYA
codice articolo del costruttore | H812R1DYA |
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Numero di parte futuro | FT-H812R1DYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812R1DYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R1DYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812R1DYA-FT |
H493R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H493R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H4953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H495R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H495R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H4976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4976RBZA
TE Connectivity Passive Product
H497R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H497R6BZA
TE Connectivity Passive Product
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel