casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812R1BZA
codice articolo del costruttore | H812R1BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H812R1BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812R1BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R1BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812R1BZA-FT |
H8118RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8118RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8118RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8118RBZA
TE Connectivity Passive Product
H811K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H811K5BYA
TE Connectivity Passive Product
H811K5DCA
TE Connectivity Passive Product
H811K5DYA
TE Connectivity Passive Product
H811K5DZA
TE Connectivity Passive Product
H811K8BYA
TE Connectivity Passive Product
M1A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
10M16SCE144C7G
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC6SLX25T-2CSG324I
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation