casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H811R8BYA
codice articolo del costruttore | H811R8BYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H811R8BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H811R8BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11.8 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H811R8BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H811R8BYA-FT |
H810K5DYA
TE Connectivity Passive Product
H810K5DZA
TE Connectivity Passive Product
H810K7BYA
TE Connectivity Passive Product
H810KBAA
TE Connectivity Passive Product
H810KBDA
TE Connectivity Passive Product
H810KBZA
TE Connectivity Passive Product
H810KDCA
TE Connectivity Passive Product
H810KDYA
TE Connectivity Passive Product
H810KDZA
TE Connectivity Passive Product
H810KFCA
TE Connectivity Passive Product
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
Intel