casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RBYA
codice articolo del costruttore | H8110RBYA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RBYA-FT |
H412K1BCA
TE Connectivity Passive Product
H412K1BZA
TE Connectivity Passive Product
H4130KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4150KBYA
TE Connectivity Passive Product
H41K02BCA
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H41K02BZA
TE Connectivity Passive Product
H41K05BCA
TE Connectivity Passive Product
H41K05BZA
TE Connectivity Passive Product
H41K07BCA
TE Connectivity Passive Product
H41K07BZA
TE Connectivity Passive Product
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel