casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RBYA
codice articolo del costruttore | H8110RBYA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RBYA-FT |
H412K1BCA
TE Connectivity Passive Product
H412K1BZA
TE Connectivity Passive Product
H4130KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4150KBYA
TE Connectivity Passive Product
H41K02BCA
TE Connectivity Passive Product
H41K02BZA
TE Connectivity Passive Product
H41K05BCA
TE Connectivity Passive Product
H41K05BZA
TE Connectivity Passive Product
H41K07BCA
TE Connectivity Passive Product
H41K07BZA
TE Connectivity Passive Product
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel