casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RBYA
codice articolo del costruttore | H8110RBYA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RBYA-FT |
H412K1BCA
TE Connectivity Passive Product
H412K1BZA
TE Connectivity Passive Product
H4130KBZA
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H41K02BCA
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H41K02BZA
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H41K05BCA
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H41K05BZA
TE Connectivity Passive Product
H41K07BCA
TE Connectivity Passive Product
H41K07BZA
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XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel