casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8110RBDA
codice articolo del costruttore | H8110RBDA |
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Numero di parte futuro | FT-H8110RBDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RBDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RBDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8110RBDA-FT |
H4P8K25DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K2FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K66DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K66DZA
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H4P909KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90K9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90R9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910RFCA
TE Connectivity Passive Product
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel