casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H810RDYA
codice articolo del costruttore | H810RDYA |
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Numero di parte futuro | FT-H810RDYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810RDYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810RDYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H810RDYA-FT |
H4P82R5DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P866KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P866KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P86R6DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K06FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K25DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K25DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K2FCA
TE Connectivity Passive Product
XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel