casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H810R7BZA
codice articolo del costruttore | H810R7BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H810R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H810R7BZA-FT |
H4P7K87DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82R5DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFZA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel