casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H810R7BZA
codice articolo del costruttore | H810R7BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H810R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H810R7BZA-FT |
H4P7K87DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82R5DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFZA
TE Connectivity Passive Product
A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
Intel