casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H810R7BDA
codice articolo del costruttore | H810R7BDA |
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Numero di parte futuro | FT-H810R7BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810R7BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R7BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H810R7BDA-FT |
H4P7K5FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82R5DZA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation