casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H810R7BDA
codice articolo del costruttore | H810R7BDA |
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Numero di parte futuro | FT-H810R7BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810R7BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R7BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H810R7BDA-FT |
H4P7K5FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DZA
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H4P820KFCA
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H4P820KFZA
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H4P820RFCA
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H4P820RFZA
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H4P82KFCA
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H4P82R5DZA
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EP1K50TC144-1
Intel
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel