casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8102RBYA
codice articolo del costruttore | H8102RBYA |
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Numero di parte futuro | FT-H8102RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8102RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 102 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8102RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8102RBYA-FT |
H410KBCA
TE Connectivity Passive Product
H410KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4110KBCA
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H4110KBZA
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H4113KBCA
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H4113KBZA
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H4115KBCA
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H4115KBZA
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H4118KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4118KBZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29C7N
Intel
EPF6024AQC240-2N
Intel