casa / prodotti / filtri / Induttanze in modalità comune / H6507NLT
codice articolo del costruttore | H6507NLT |
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Numero di parte futuro | FT-H6507NLT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H6507NLT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di filtro | Power Line |
Numero di linee | 2 |
Impedenza @ Frequenza | - |
Induttanza @ Frequenza | - |
Corrente nominale (max) | - |
Resistenza DC (DCR) (Max) | 1.5 Ohm |
Tensione nominale - CC | - |
Tensione nominale - CA. | - |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C |
Giudizi | - |
approvazioni | - |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 0.476" L x 0.602" W (12.10mm x 15.30mm) |
Altezza (max) | 0.340" (8.64mm) |
Pacchetto / caso | Vertical, 8 Gull Wing |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H6507NLT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H6507NLT-FT |
B82791H0015A030
EPCOS (TDK)
B82791H2901N020
EPCOS (TDK)
B82792C0226N365
EPCOS (TDK)
B82792C0336N365
EPCOS (TDK)
B82792C0475N365
EPCOS (TDK)
B82792C0506N365
EPCOS (TDK)
B82794C0106N465
EPCOS (TDK)
B82794C0286N465
EPCOS (TDK)
B82794C0475N465
EPCOS (TDK)
B82794C0476N465
EPCOS (TDK)
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C6
Intel
EP4SGX530KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF1152C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP4SGX180HF35C4N
Intel