casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4P3K65DZA
codice articolo del costruttore | H4P3K65DZA |
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Numero di parte futuro | FT-H4P3K65DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P3K65DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3.65 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P3K65DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4P3K65DZA-FT |
H89K76BDA
TE Connectivity Passive Product
H89K76BZA
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H4100RBCA
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LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation