casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4P30R1DZA
codice articolo del costruttore | H4P30R1DZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H4P30R1DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P30R1DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 30.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P30R1DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4P30R1DZA-FT |
H4P226RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22K6DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P22K6DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P22R6DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P22R6DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P22RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P237KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P237KDZA
TE Connectivity Passive Product
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation