casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4P26R1DZA
codice articolo del costruttore | H4P26R1DZA |
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Numero di parte futuro | FT-H4P26R1DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P26R1DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 26.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P26R1DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4P26R1DZA-FT |
H4P1K33DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P1K33DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P1K3FCA
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H4P1K47DCA
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H4P1K4DCA
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H4P1K54DZA
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H4P1K5DZA
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XC3S400-5FG320C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F31C5N
Intel
EP20K60EQC208-2N
Intel