casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4P21R5DZA
codice articolo del costruttore | H4P21R5DZA |
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Numero di parte futuro | FT-H4P21R5DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P21R5DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 21.5 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P21R5DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4P21R5DZA-FT |
H4P16RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P16RFZA
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H4P178KDCA
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H4P178RDCA
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H4P178RDZA
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H4P17K8DCA
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H4P17K8DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P17R8DCA
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H4P17R8DZA
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel