casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4P19R6DZA
codice articolo del costruttore | H4P19R6DZA |
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Numero di parte futuro | FT-H4P19R6DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P19R6DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 19.6 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P19R6DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4P19R6DZA-FT |
H4P130RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4P130RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P130RFZA
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H4P133KDCA
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TE Connectivity Passive Product
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AGLN125V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
XC6VLX240T-1FF784I
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XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX066H2F34E2SG
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5AGXMA1D4F31C5N
Intel