casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4P13R3DZA
codice articolo del costruttore | H4P13R3DZA |
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Numero di parte futuro | FT-H4P13R3DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P13R3DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 13.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P13R3DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4P13R3DZA-FT |
H495K3BZA
TE Connectivity Passive Product
H495R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H495R3DYA
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H4976KBCA
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H4976KBYA
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H497K6BCA
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H497K6BDA
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LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
10AX022C3U19I2LG
Intel
5SGXEA3K3F35C2LN
Intel
AGL125V5-CSG196
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780I7
Intel
EPF10K100ABC356-3N
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel