casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4649RDYA
codice articolo del costruttore | H4649RDYA |
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Numero di parte futuro | FT-H4649RDYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4649RDYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 649 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4649RDYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4649RDYA-FT |
H459KBZA
TE Connectivity Passive Product
H459KDYA
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H459RBCA
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H45K0BAA
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H45K11BCA
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H45K11BDA
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H45K11BYA
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XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG484I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE360H29C4
Intel
XC2VP20-6FFG896I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
EP1C20F400C6
Intel