casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H4649RBZA
codice articolo del costruttore | H4649RBZA |
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Numero di parte futuro | FT-H4649RBZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4649RBZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 649 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4649RBZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H4649RBZA-FT |
H459KBYA
TE Connectivity Passive Product
H459KBZA
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H45K11BCA
TE Connectivity Passive Product
H45K11BDA
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XC4008E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3N
Intel
EP1K50FC256-3
Intel
XC2V1500-5BG575I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
Intel