casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H457R6BYA
codice articolo del costruttore | H457R6BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H457R6BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H457R6BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 57.6 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H457R6BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H457R6BYA-FT |
H4511RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4511RBDA
TE Connectivity Passive Product
H4511RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4511RBZA
TE Connectivity Passive Product
H4511RDYA
TE Connectivity Passive Product
H451K1BCA
TE Connectivity Passive Product
H451K1BDA
TE Connectivity Passive Product
H451K1BYA
TE Connectivity Passive Product
H451K1BZA
TE Connectivity Passive Product
H451K1DYA
TE Connectivity Passive Product
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel