casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H445R3BZA
codice articolo del costruttore | H445R3BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H445R3BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H445R3BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 45.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H445R3BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H445R3BZA-FT |
H4402RBDA
TE Connectivity Passive Product
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A54SX32-TQG144M
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
EP4CGX30BF14C8
Intel
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQ176I
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-1
Intel