casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H430R9BZA
codice articolo del costruttore | H430R9BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H430R9BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H430R9BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 30.9 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H430R9BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H430R9BZA-FT |
H4274RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4274RBZA
TE Connectivity Passive Product
H4274RDYA
TE Connectivity Passive Product
H427K4DYA
TE Connectivity Passive Product
H427R4BCA
TE Connectivity Passive Product
H427R4BDA
TE Connectivity Passive Product
H427R4BYA
TE Connectivity Passive Product
H427R4BZA
TE Connectivity Passive Product
H427R4DYA
TE Connectivity Passive Product
H4280RBCA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel