casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H425R5BZA
codice articolo del costruttore | H425R5BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H425R5BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H425R5BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 25.5 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H425R5BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H425R5BZA-FT |
H420R5DYA
TE Connectivity Passive Product
H420RBBA
TE Connectivity Passive Product
H4210KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4210KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4210KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4210KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4210RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4210RBDA
TE Connectivity Passive Product
H4210RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4210RBZA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel