casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H422R6BYA
codice articolo del costruttore | H422R6BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H422R6BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H422R6BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 22.6 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H422R6BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H422R6BYA-FT |
H4P910RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P51RFZA
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H830K1BDA
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H4P2K0FZA
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H4P180KFZA
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H4P300RFZA
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H4P5K6FZA
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H4P470KFZA
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XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel