casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H419R1BYA
codice articolo del costruttore | H419R1BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H419R1BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H419R1BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 19.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H419R1BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H419R1BYA-FT |
H4178KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4178KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4178KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4178KDYA
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H4178RBCA
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H4178RBDA
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H4178RBYA
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H4178RBZA
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H4178RDYA
TE Connectivity Passive Product
H417K4BCA
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XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A40MX04-3PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34E2LG
Intel