casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H417R8BYA
codice articolo del costruttore | H417R8BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H417R8BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H417R8BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 17.8 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H417R8BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H417R8BYA-FT |
H415R8BCA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BDA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BYA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BZA
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H415RBCA
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H415RBDA
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H415RBYA
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H415RBZA
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H415RFYA
TE Connectivity Passive Product
H4162KBCA
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A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
Intel