casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H416R2BYA
codice articolo del costruttore | H416R2BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H416R2BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H416R2BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 16.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H416R2BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H416R2BYA-FT |
H4150KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4150KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBDA
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H4150RBYA
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H4150RBZA
TE Connectivity Passive Product
H4150RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4154KBCA
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H4154KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4154KBYA
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LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
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EP4CE10F17C9L
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
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5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
LFE2M50E-5F672C
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LCMXO256E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation