casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H416R2BDA
codice articolo del costruttore | H416R2BDA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H416R2BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H416R2BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 16.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H416R2BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H416R2BDA-FT |
H4150KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4150KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4150KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBDA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4150RBZA
TE Connectivity Passive Product
H4150RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4154KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4154KBDA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
EP3C25E144C8N
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation