casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H413R7BZA
codice articolo del costruttore | H413R7BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H413R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H413R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 13.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H413R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H413R7BZA-FT |
H411RBCA
TE Connectivity Passive Product
H411RBDA
TE Connectivity Passive Product
H411RBYA
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H411RBZA
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H411RDYA
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H4120KDZA
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H4121KBDA
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H4121RBCA
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H4121RBYA
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EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel