casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H412R7DYA
codice articolo del costruttore | H412R7DYA |
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Numero di parte futuro | FT-H412R7DYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H412R7DYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412R7DYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H412R7DYA-FT |
H410R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BZA
TE Connectivity Passive Product
H410RBCA
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H410RDYA
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H4110KBDA
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H4110KFDA
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H4110RBCA
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XCKU035-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23I8LN
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
LFE2-20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C5N
Intel
EP20K100QC240-3V
Intel