casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H412R7BZA
codice articolo del costruttore | H412R7BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H412R7BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H412R7BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412R7BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H412R7BZA-FT |
H410R7BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BYA
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H410R7BZA
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H410RDYA
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H4110KBDA
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H4110KFDA
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A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel